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“中压大电流MOS芯片”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 类型： | 耗尽型MOS管(N沟道) |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | 封装外形： | CHIP/小型片状 |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | 导电方式： | 耗尽型 |
| 型号： | HM85P02/K | 规格： | TO-220/ TO-252 |
| 产量： | 5000000 |
“中压大电流MOS芯片”详细介绍
|
型号 |
类型 |
V(BR)DSS(Max） |
VGS |
CTH |
ID(Max) |
IDM |
RDS(on) (Max) |
封装形式 |
替代型号 |
|
|
PTD30P55 |
P沟道 |
-55V |
-20V |
-3V |
-30A |
-110A |
30mΩ |
TO-252 |
AOD413 |
PTD30P55.PDF |
|
PTD50N03 |
N沟道 |
30V |
20V |
1.6V |
50A |
140A |
8mΩ |
TO-220 |
AP50N03/ PHD50N03/ AP45N03/ PHD45N03 PHP45N03/ AOD452 /AOD472 |
PTD50N03.PDF |
|
PTP1404 |
N沟道 |
40V |
20V |
3V |
200A |
790A |
3.3mΩ |
TO-220 |
IRF1404 |
PTP1404.PDF |
|
PTP3205 |
N沟道 |
55V |
20V |
3V |
120A |
420A |
5.5mΩ |
TO-220 |
IRF3205 |
PTP3205.PDF |
|
PTD/P50N06 |
N沟道 |
60V |
20V |
1.5V |
50A |
220A |
20mΩ |
TO-252 |
STP50N06/IRFZ44N |
PTP50N06.pdf |
|
PTP7580 |
N沟道 |
75V |
25V |
2.85V |
80A |
320A |
6.5mΩ |
TO-220 |
STP75NF80/STP75NF75 /IRF1010E/NEC4145/ AOT430/2SK4145/LTP75N08 |
PTP7580.pdf |
