通过认证
“MOS管”参数说明
“MOS管”详细介绍
2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型9nC；
·极低反向转换电容；典型5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-20，TO-20F，TO-251，TO-252
· 最大结温 150 ℃
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型9nC；
·极低反向转换电容；典型5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-20，TO-20F，TO-251，TO-252
· 最大结温 150 ℃
